SAMSUNG 850 EVO M.2 SSD 250GB SATA3 6GB/s TLC (čtení max. 540MB/s, zápis max. 500MB/s

MZ-N5E250BW8806086587334SamsungJedinečná a inovativní architektura flashové paměti 3D V-NAND od společnosti Samsung představuje překonání omezení hustoty, výkonu aodolnosti dnešní běžné planární architektury NAND. 3D V-NAND totiž využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo aby zmenšovala rozměry buněk při snaze vměstnat je do pevně daného horizontálního prostoru. Ve výsledku poskytuje technologie vyšší hustotu a lepší výkon na menší ploše.

Dosáhněte absolutního výkonu čtení / zápisu, abyste díky technologii TurboWrite od společnosti Samsung maximalizovali své pohodlí při práci s počítačem. Model 850 EVO má ve své třídě špičkový výkon rychlosti sekvenčního čtení a zápisu 540 MB/s, respektive 520 MB/s. Užijte si optimalizovaný náhodný výkon scénářů využití klientského PC ve všech hloubkách fronty (QD).

SPECIFIKACE:
Základní funkce
Aplikace: Klientské PC
Kapacita: 250 GB (1 GB = 1 miliarda bajtů podle IDEMA) * Skutečná využitelná kapacita může být nižší (v závislosti na formátování, diskových oddílech, operačním systému, aplikacích a dalších faktorech)
Typ zařízení: M.2
Rozhraní: Rozhraní SATA 6 Gb/s, kompatibilní s rozhraními SATA 3 Gb/s a SATA 1,5 Gb/s
Rozměry (WxHxD): Max. 80,15 x max. 22,15 x max. 2,38 (mm)
Váha: Max. 6,8 g
Storage Memory: 32vrstvá paměť 3D V-NAND Samsung
Controller: Řadič MGX Samsung
Cache Memory: Nízkonapěťová paměť 512 MB DDR3 SDRAM Samsung

Speciální funkce
TRIM Support: Podpora TRIM
S.M.A.R.T Support: Podpora S.M.A.R.T
GC (Garbage Collection): Algoritmus pro automatický sběr informací o paměti
Encryption Support: 256 bitové šifrování AES (třída 0), TCG / Opal, IEEE1667 (šifrovaný disk)
WWN Support: Podpora adresy WWN (World Wide Name)
Device Sleep Mode Support: Ano

Výkon
Sequential Read: Rychlost sekvenčního čtení až 540 MB/s, Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Sequential Write: Rychlost sekvenčního zápisu až 500 MB/s, Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Random Read (4KB, QD32): Rychlost náhodného čtení až 97.000 IOPS, Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Random Write (4KB, QD32): Rychlost náhodného zápisu až 89.000 IOPS, Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Random Read (4KB, QD1): Rychlost náhodného čtení až 10.000 IOPS, Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Random Write (4KB, QD1): Rychlost náhodného zápisu až 40.000 IOPS, Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému

Environment
Average Power Consumption (system level): Průměr: 2,4 W Maximum: 3,7 W (režim max. rychlosti), Skutečná spotřeba energie se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Power consumption (Idle): Max. 50 mW, Skutečná spotřeba energie se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Allowable Voltage: Přípustné napětí 5 V ± 5%
Reliability (MTBF): Spolehlivost po dobu 1,5 mil. hodin (MTBF)
Shock: 1.500 G a 0,5 ms (poloviční sinus)

Pětiletá omezená záruka nebo omezená záruka 75 TBW
Ilustrativní obrázek
Jedinečná a inovativní architektura flashové paměti 3D V NAND od společnosti Samsung představuje překonání omezení hustoty, výkonu aodolnosti dnešní běžné planární architektury NAND. Celý popis
Ilustrativní obrázek
ilustrační obrázek
SLEVA 7%
Maloobchodní cena: 3 411 Kč, Ušetříte 250 Kč (7 %)
3 161 Kč
2612.1 Kč bez DPH
€ 116.8
3161 Kč skladem u dodavatele, expedice do 48 hodin HDD - pevné disky
Dostupné:
skladem u dodavatele, expedice do 48 hodin
EAN:
8806086587334
  ks
Kup najisto
V ceně je zahrnut recyklační poplatek.
P/N:
MZ-N5E250BW
DPH:21 %
Hmotnost:0.11 kg


 
Jedinečná a inovativní architektura flashové paměti 3D V-NAND od společnosti Samsung představuje překonání omezení hustoty, výkonu aodolnosti dnešní běžné planární architektury NAND. 3D V-NAND totiž využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo aby zmenšovala rozměry buněk při snaze vměstnat je do pevně daného horizontálního prostoru. Ve výsledku poskytuje technologie vyšší hustotu a lepší výkon na menší ploše.
Dosáhněte absolutního výkonu čtení / zápisu, abyste díky technologii TurboWrite od společnosti Samsung maximalizovali své pohodlí při práci s počítačem. Model 850 EVO má ve své třídě špičkový výkon rychlosti sekvenčního čtení a zápisu 540 MB/s, respektive 520 MB/s. Užijte si optimalizovaný náhodný výkon scénářů využití klientského PC ve všech hloubkách fronty (QD).
SPECIFIKACE:
Základní funkce
Aplikace: Klientské PC
Kapacita: 250 GB (1 GB = 1 miliarda bajtů podle IDEMA) * Skutečná využitelná kapacita může být nižší (v závislosti na formátování, diskových oddílech, operačním systému, aplikacích a dalších faktorech)
Typ zařízení: M.2
Rozhraní: Rozhraní SATA 6 Gb/s, kompatibilní s rozhraními SATA 3 Gb/s a SATA 1,5 Gb/s
Rozměry (WxHxD): Max. 80,15 x max. 22,15 x max. 2,38 (mm)
Váha: Max. 6,8 g
Storage Memory: 32vrstvá paměť 3D V-NAND Samsung
Controller: Řadič MGX Samsung
Cache Memory: Nízkonapěťová paměť 512 MB DDR3 SDRAM Samsung
Speciální funkce
TRIM Support: Podpora TRIM
S.M.A.R.T Support: Podpora S.M.A.R.T
GC (Garbage Collection): Algoritmus pro automatický sběr informací o paměti
Encryption Support: 256 bitové šifrování AES (třída 0), TCG / Opal, IEEE1667 (šifrovaný disk)
WWN Support: Podpora adresy WWN (World Wide Name)
Device Sleep Mode Support: Ano
Výkon
Sequential Read: Rychlost sekvenčního čtení až 540 MB/s, Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Sequential Write: Rychlost sekvenčního zápisu až 500 MB/s, Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Random Read (4KB, QD32): Rychlost náhodného čtení až 97.000 IOPS, Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Random Write (4KB, QD32): Rychlost náhodného zápisu až 89.000 IOPS, Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Random Read (4KB, QD1): Rychlost náhodného čtení až 10.000 IOPS, Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Random Write (4KB, QD1): Rychlost náhodného zápisu až 40.000 IOPS, Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Environment
Average Power Consumption (system level): Průměr: 2,4 W Maximum: 3,7 W (režim max. rychlosti), Skutečná spotřeba energie se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Power consumption (Idle): Max. 50 mW, Skutečná spotřeba energie se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému
Allowable Voltage: Přípustné napětí 5 V ± 5%
Reliability (MTBF): Spolehlivost po dobu 1,5 mil. hodin (MTBF)
Shock: 1.500 G a 0,5 ms (poloviční sinus)
Pětiletá omezená záruka nebo omezená záruka 75 TBW

Jste spokojeni s kvalitou popisu produktu? Napište nám

E-mail: Váš e-mail pro odpověď
Text:


NázevHodnota
TBW klasifikace (zapsaných terabytů)75
Podpora TRIMAno
Podpora technologie SMARTAno
Kapacita disku SSD250 GB
Rychlost540 MB/s
Intern:Ano
Otřesuvzdorný1500000 h
Hmotnost122 g
Včetně svorky22.1 mm
Hloubka15.2 mm
KUPTE TOTO ZBOŽÍ DNES A ZAPLAŤTE JEJ AŽ PO VYZKOUŠENÍ.

KUP NAJISTO - Nová platební služba pro jistotu při nakupování.

Vyzkoušejte vaše zboží doma, zaplaťte za 14 dní.

Pro schválení služby Kup Najisto budete přesměrováni na stránky pro ověření Vaší identity. Podle výše Vašeho nákupu můžeme k ověření Vaší identity požadovat i rodné číslo, případně číslo občanského průkazu.

Údaje zpracováváme zabezpečeně a v souladu se Zákonem o ochraně osobních údajů.
Platební služba Kup Najisto není určena pro podnikatele a firmy (držitelé IČ).

 
 

Rodina NWT

Nákup bez obav

Patro.cz

Rychlý kontakt

Tento web používá k poskytování služeb, personalizaci reklam a analýze návštěvnosti soubory cookie. Používáním tohoto webu s tím souhlasíte.